У производњи монокристалног и поликристалног силицијуно-кројача соларних панела и полуводича - квалитет сировог силицијумског металног праха диктира перформансе 30+ године у рафинисању материјала са високим чистоћима, Зхенан Интернатионал ЦО ., ограниченим међународним производним произвођачима испоручујући прецизно-цичастог система за силицијум, снабдевајући прецизно угрожени силицијумски метални прах. Раст .
Поликристални силицијум: темељ соларне ефикасности
Поликристална производња силицијума се ослања на економично, високо-чистоће Феедстоцк . Зхенан СОЛАР-ЦЛАГЕ СИЛИЦОН МЕТАЛНИ ПУД (99,99% чистоћа) минимизира нечистоће Борон / фосфор (фосфор)<1 ppm), ensuring optimal ingot crystallization and photovoltaic conversion rates. Our controlled particle size (50-200μm) enhances melting uniformity in CVD reactors, reducing energy waste and defects.
Монокристални силицијум: прецизност на атомским вагама
Monocrystalline growth demands ultra-pure silicon (99.9999%+) with near-zero metallic impurities. ZhenAn's electronic-grade powder, refined via vacuum smelting and zone purification, achieves sub-0.5ppb impurity levels. This enables flawless Czochralski crystal pulling, directly impacting wafer resistivity and полуводички принос.
- Зашто се Зхенан стоји одвојено
- Прилагођене спецификације: Подесива дистрибуција честица (10-500 μм) и допантски профили за специфичну лош / компатибилност процеса .
- Загарантована стабилност: Производња вођена од аи осигурава конзистентност серије (мање или једнака 2% варијанта у критичним параметрима) .
- Скалабилна понуда: 150, 000 Годишњи капацитет са ИСО / СХЕАЦТ цертификатом, подржавајући соларне фарме Гигаватт скале и 300 мм Вафер Фабс .
За произвођаче приоритетизујући принос, ефикасност и отпорност на ланац снабдевања, Зхенанов силиконски метални прах моли су сировинске науке и индустријско извођење . са нама да откључају пуни потенцијал вашег моно / поликристалне процесе .
Контактирајте Зхенанове стручњаке на sale@zanewmetal.com-Да лијечимо вашу силицијумку будућност заједно .
Зхенан: Постројење кристалних иновација јер 1993.
