Груби силицијум карбид

Силицијум карбид 100 Грит Опис

Трећа-генерација полупроводничких уређаја велике снаге-које представља СиЦ један је од најбрже растућих енергетских полупроводничких уређаја у области енергетске електронике.

 

Силицијум карбид као типичан представник треће генерације полупроводничких материјала, али и најзрелија технологија производње кристала и ниво производње уређаја, један од најчешће коришћених полупроводничких материјала широког пропусног опсега, формирао је глобални ланац индустрије материјала, уређаја и апликација. То је идеалан полупроводнички материјал за апликације високе-температуре, високе-фреквенције,{3}}отпорне на зрачење и велике{4} снаге.

 

 

 

 

Спецификација производа од силицијум карбида

Добављачи производа од силицијум карбида-ЗхенАн Интернатионал

 

 

ТИПИЧНА ХЕМИЈСКА АНАЛИЗА
СиЦ	99.05%
СиО2	0.20%
Ф,Си	0.03%
Фе2О3	0.10%
F.C	0.04%
ТИПИЧНА ФИЗИЧКА СВОЈСТВА
тврдоћа:	Мохс:9.5
Тачка топљења:	Сублимира на 2600 степени
Максимална температура рада:	1900 степени
Специфична тежина:	3,2 г/цм³
Запреминска густина (ЛПД):	1,2-1,6 г/цм3
Боја:	Зелена
Облик честице:	Хекагонал

 

Произвођач силицијум карбида 100 Грит-ЗхенАн Интернатионал

 

Добављач СиЦ праха-ЗхенАн

 

Механичка својства:висока тврдоћа (тврдоћа по Кјелдахлу од 3000 кг/мм²), може сећи рубин; висока отпорност на хабање, друга после дијаманта.

 

Топлотна својства:топлотна проводљивост је већа од металног бакра, 3 пута већа од Си и 8 до 10 пута већа од ГаАс, добра дисипација топлоте, веома важна за уређаје велике снаге.

 

Хемијска својства:отпорност на корозију је веома јака, на собној температури може да одоли скоро свим познатим корозивним агенсима. СиЦ површине лака оксидација за стварање танког слоја СиО2, може спречити његову даљу оксидацију, на вишим од 1700 степени, овај слој топљења оксидног филма и брзу реакцију оксидације. СиЦ се може растворити у растопљеном материјалу оксидационог средства.

 

Електрична својства:4Х-СиЦ и 6Х-СиЦ појас је око 3 пута већи од Си, 2 пута већи од ГаАс; јачина његовог пробојног електричног поља је за један ред величине већа од оне код Си, а брзина померања електрона засићења је 2,5 пута већа од Си. 4Х-СиЦ има шири појас од 6Х-СиЦ.

 

36 Силицијум карбид гранулације Фотографије посете купаца

 

ФАК

 

 

П: Да ли се цена може преговарати?

О: Да, слободно нас контактирајте у било које време ако имате питања. А за клијенте који желе да прошире тржиште, потрудићемо се да их подржимо.

П: Можете ли доставити бесплатне узорке?

О: Да, можемо да обезбедимо бесплатне узорке купцима да би проверили квалитет или урадили хемијске анализе, али молимо вас да нам кажете детаљне захтеве да припремимо праве узорке.

П: Када можете испоручити робу?

A: Обично можемо испоручити робу у року од 15-20 дана након што примимо авансно плаћање или оригинални Л/Ц.

П: Можете ли да доставите извештај о тестирању који је издао СГС или нека друга{0}}инспекција треће стране?

О: Да, можемо, ако клијенти затраже извештаје о тестирању треће стране{0}}.

Искрено се надамо да ћемо бити Ваш партнер, поздрављамо нове и старе купце да посете водич као и разне облике трговинских разговора!

Popularne oznake: груби силицијум карбид, произвођачи, добављачи, фабрика у Кини грубог силицијум карбида